• 三星芯片代工计划曝光

    去年10月,三星芯片工厂正式开始使用其7LPP(7nm低功耗+)制造工艺生产芯片,此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技术开始批量生产芯片。此外,该公司表示将推出其首款5LPE(5nm低功耗早期)SoC并且将在未来几个月内完成其4LPE(4nm低功耗早期)工艺的开发。
     
    由于DRAM和NAND价格下降,三星半导体业务的综合收入在第二季度下降至16.09万亿韩元(143.02亿美元),而营业利润总计为3.4万亿韩元(28.77亿美元)。虽然三星的内存业务疲软,但该公司表示其代工业务表现强劲。据三星称,其合同生产部门对使用10LPP / 8LPP技术制造的移动SoC以及使用14LPx / 10LPP工艺制造的移动,HPC,汽车和网络产品的需求强劲。总的来说,三星芯片工厂使用其领先的FinFET工艺技术生产大量优质产品。
     
    今年晚些时候,三星将采用其6LPP工艺技术开始生产芯片,该技术早些时候又回到了其路线图。三星的6LPP是三星7LPP的精制版,提供更高晶体管密度(密度提升10%),更低的功耗、此外,6LPP为愿意开发全新IP的客户提供智能结构支持。三星7LPP生产技术发展的下一步将是其5LPE制造工艺。与6LPP相比,这在功耗,性能和面积方面提供了更多的好处,三星预计将在今年下半年推出使用其5LPE技术的首批芯片,预计将在2020年上半年大规模生产。
     
    三星芯片代工计划曝光三星芯片代工计划曝光三星芯片代工计划曝光三星芯片代工计划曝光
    三星:GAA FET与EUV是半导体领域下一代重要突破
     
    日前,三星半导体博客刊发了一篇TECHnalysis Research公司总裁兼首席分析师Bob O'Donnell的文章,他提出了他对于过渡到全新Gate-All-Around晶体管结构的看法。通过重新思考和重新构建基本的晶体管设计,Bob认为技术行业可以期待几代工艺技术的改进,同时减少半导体尺寸和功率要求,以及提高半导体性能。
     
    任何关注半导体行业的人都知道芯片性能提升的速度开始放缓。与此同时,工艺公司已经讨论了他们减少制造芯片尺寸时面临的一些挑战。虽然通常与摩尔定律的继续发展有关,但更多是伴随着半导体工艺节点尺寸的减小,影响性能的因素会持续增加。
     
    就在几个月前,三星半导体的代工业务宣布了晶体管设计方面的一项重大新进展,称为Gate-All-Around(GAA),它有望在未来几年保持晶体管级半导体的发展。从根本上说,GAA提供了对基本晶体管设计的重新思考和重新架构,其中晶体管内部的硅通道完全被栅极材料包围,而不是像三极一样被栅极材料覆盖,就像FinFET设计一样,这种设计可以增加晶体管密度,同时增加沟道的缩放潜力。
     
    整个科技行业都在期待着半导体工艺的改进,这些进步将继续降低半导体尺寸和功率,并提高半导体性能。GAA与极紫外光(EUV)光刻技术一起被认为是半导体制造领域下一个主要技术进步,这为芯片行业提供了从7nm到5nm到3nm工艺节点的清晰路径。
     
    从技术上讲,由于GAA FET技术降低了电压,这也为半导体代工业务提供了一种超越FinFET设计的方法。随着晶体管不断缩小,电压调节已被证明是最难克服的挑战之一,但GAA采用的新设计方法减少了这个问题。GAA晶体管的一个关键优势是能够降低电压缩放造成的功耗,同时还能提高性能。这些改进的具体时间表可能不会像行业过去那么快,但至少关于它们是否会到来的不确定性现在可能会逐渐改观。对于芯片和器件制造商而言,这些技术进步为半导体制造业的未来提供了更清晰的视角,并且应该让他们有信心推进积极的长期产品计划。
     
    GAA的时机也是科技行业的偶然因素。直到最近,半导体行业的大多数进步都集中在单个芯片或单片SOC(片上系统)设计上,这些设计都基于单个工艺节点尺寸构建的硅芯片。当然,GAA将为这些类型的半导体提供重要的好处。此外,随着新的“小芯片”SOC设计的势头增加,这些设计结合了几个可以在不同工艺节点上构建的较小芯片组件,很容易被误解为晶体管级增强不会带来太多的价值。实际上,有些人可能会争辩说,随着单片SOC被分解成更小的部分,对较小的制造工艺节点的需求就会减少。然而,事实是更复杂,更细微。为了使基于芯片组的设计真正成功,业界需要改进某些芯片组件的工艺技术,并改进封装和互连,以将这些元件和所有其他芯片组件连接在一起。
     
    重要的是要记住,最先进的小芯片组件正变得越来越复杂。这些新设计要求3mm GAA制造所能提供的晶体管密度。例如,特定的AI加速器,以及日益复杂的CPU,GPU,FPGA架构需要他们能够集中处理的所有处理能力。因此,虽然我们会继续看到某些半导体元件停止在工艺节点的路线图中,并以更大的工艺尺寸稳定下来,但对关键部件的持续工艺缩减的需求仍然有增无减。
     
    科技行业对半导体性能改进的依赖已经变得如此重要,以至于工艺技术的潜在放缓引起了相当多的关注,甚至对可能对整个科技世界产生的影响产生负面影响。虽然GAA所带来的进步甚至没有使该行业完全解决了挑战,但它们足以提供行业所需的发展空间以保持其继续前进。
     
    据businesskorea报道,代工咨询公司IBS 5月15日宣布,三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年,领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术,被视为代工行业的突破者。
     
    三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。
     
    这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。
     
    三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布,将于明年完成GAA工艺开发,并于2021年开始批量生产。
     
    *免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。
    上一篇:科创板将成为“中国股王”的摇篮

    下一篇:WeWork拟聘请摩根大通和高盛领导IPO